ゲート絶縁膜

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N型チャネルMOSFET模式図

ゲート絶縁膜(ゲートぜつえんまく)とは、電界効果トランジスタ (FET) において、ゲートとチャネル(基板)の間に存在する絶縁膜。

最先端プロセスにおいて、ゲート絶縁体は以下のような多くの制限を受ける。

電気容量と厚さの制限はほとんど直接的に互いに対立している。 Si基板を用いたFETでは、基板材料であるシリコン酸化した熱酸化シリコン(二酸化ケイ素、ゲート酸化膜と呼ばれる)を主に用いている。これは熱酸化膜が非常にクリーンな界面を持つためである。TFTなどにおいては、ガラス融点の関係上熱酸化はできず、プラズマを用いた化学気相成長プラズマCVD)などで成膜がなされる。

半導体業界では、同じ厚さでも電気容量が高くなる高誘電率の代替材料が求められている。

参考文献[編集]

関連項目[編集]