ゲート絶縁膜

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ゲート絶縁膜(ゲートぜつえんまく)とは、電界効果トランジスタ (FET) において、ゲートとチャネルの間に存在する絶縁膜。

Si基板を用いたFETでは、基板材料であるシリコン酸化した熱酸化シリコンを主に用いている。TFTなどにおいては、ガラス融点の関係上熱酸化はできず、プラズマを用いた化学気相成長プラズマCVD)などで成膜がなされる。

参考文献

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