赤崎勇

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赤﨑 勇
Isamu Akasaki 20141211.jpg
赤﨑勇(2014年)
生誕 (1929-01-30) 1929年1月30日(90歳)
日本の旗 日本鹿児島県川辺郡知覧村
(現・南九州市
国籍 日本の旗 日本
研究分野 半導体工学
化学工学
電子工学
研究機関 名古屋大学
松下電器東京研究所
松下技研
名城大学
出身校 旧制第七高等学校造士館
(現・鹿児島大学
京都大学理学部化学科
博士課程
指導学生
天野浩、小出康夫
主な業績 世界初の窒化ガリウム結晶に成功
高輝度青色発光ダイオード青色LED)を発明
コヒーレント光青色紫外発光デバイス (LED, LD) 全ての基礎技術の確立
青紫色 レーザーの開発
窒化物半導体量子構造を解明
窒化物半導体世界最高効率となる太陽電池の開発
GaN系電子線励起レーザーに成功
他重要な業績多数
影響を
受けた人物
榊米一郎早川幸男
主な受賞歴 Optoelectronics Conference Special Award(1994年)
Heinrich Welker Medal(1995年)
IEEE Society Lasers and Electro-Optics Society's Engineering Achievement Award(1996年)
IOCG ローディス賞(1998年)
C&C賞(1998年)
朝日賞(2000年)
藤原賞(2002年)
武田賞(2002年)
日本学術会議会長賞(2003年)
国際電子デバイス会議賞(2003年)
TMS John Bardeen Award(2007年)
日本学術振興会特別賞(2006年)
京都賞先端技術部門(2009年)
エジソン・メダル(2011年)
科学技術振興機構知的財産特別貢献賞(2011年)
カール・フェルディナント・ブラウン賞(2013年)
恩賜賞日本学士院賞(2014年)
ノーベル物理学賞(2014年)
チャールズ・スターク・ドレイパー賞(2015年)
UNESCO MEDAL(2016年)
プロジェクト:人物伝
ノーベル賞受賞者ノーベル賞
受賞年:2014年
受賞部門:ノーベル物理学賞
受賞理由:高輝度で省電力の白色光源を可能にした青色発光ダイオードの発明

赤﨑 勇(あかさき いさむ、1929年1月30日 - )は、日本半導体工学者学位工学博士名古屋大学)。名城大学大学院理工学研究科終身教授、名城大学先端科学技術研究所所長、名古屋大学特別教授名誉教授、名古屋大学赤﨑記念研究センターフェロー京都大学名誉博士文化功労者文化勲章受章者、日本学士院会員。『高輝度青色発光ダイオード発明』で2014年度ノーベル物理学賞を受賞。

株式会社松下電器東京研究所基礎第4研究室室長松下技研株式会社半導体部長、名古屋大学工学部教授などを歴任した。

「赤﨑」の「﨑」は山偏に竒(いわゆる「たつさき」)であるが、JIS X 0208に収録されていない文字のため、赤崎 勇と表記されることも多い。

概要[編集]

鹿児島県出身の半導体工学者。未来の万能光源とされLEDにおける高輝度青色発光ダイオードとなる窒化ガリウム (GaN)結晶化の研究が知られており、世界の名立たる大学産業界研究所エリート研究者達が挑戦しながらも、物性制御が非常に困難とされ撤退せざる得なかった窒化ガリウムを半導体研究ではそれまで用いることがほとんどなかったMOCVD法を決断し、高品質高純度結晶を実現1986年世界初の成功を収める(『特許1708203/米国特許4855249』、『特許3026087/米国特許5122845』)。そして理論上不可能とされた窒化ガリウムにおけるp型伝導の発見や実現困難だとされた窒化物半導体発光ダイオードを高輝度にする為に必要なp型半導体n型半導体PN接合青色発光ダイオードを発明し、1989年不可能に近いとされた高輝度青色発光ダイオードを世界で初めて成功に導いた。また自然界には存在しなかった窒化ガリウム純結晶の創造はエレクトロニクス革命とも呼ばれ次世代の半導体発明にもつながることになった(これらの青色発光ダイオード発明業績、GaN窒化物半導体に関する業績の原著論文は約700編以上、221以上にも上る特許を取得)。これらの傑出した業績により、恩賜賞ノーベル物理学賞を受賞するなど国内外の数々の重要な賞を多数受賞する。なお1986年には名古屋大学・赤崎研究グループと豊田合成産学連携による青色発光ダイオード製品化生産技術プロジェクトが始動し、1987年科学技術振興事業団から青色LEDの製造技術開発を受託。1991年には世界に先駆けて実用化の成功認定がされる。2014年度にノーベル物理学賞天野浩中村修二と共に受賞。

来歴[編集]

生い立ち[編集]

鹿児島県川辺郡知覧村(のちの知覧町、現・南九州市[1]出身。幼少期に鹿児島市の上町地区に移り鹿児島市立大龍小学校鹿児島県立第二鹿児島中学校 (旧制)[2][3]1946年に旧制第七高等学校造士館を卒業し、京都大学理学部に進学[4]。大学時代は吉田寮に住み、地元の人もめったに訪れないような神社仏閣を寮の友人達と巡ったり、夏休みには信州の山々を歩き、クラシック鑑賞などをして充実した学生時代を過ごす[5]。1952年京都大学理学部化学科卒業。2歳年上の兄は九州大学大学院総合理工学教授や福岡工業大学学長を歴任したプラズマ物理学の赤崎正則九州大学名誉教授。

研究者として[編集]

京都大学理学部卒業後、1952年錚々たる半導体研究者達が在籍し[6]ソニーと並び称された神戸工業[7](現デンソーテン)に入社、テレビ創世時代間もないブラウン管開発を担当する。1959年固体素子研究や電子放射分野の大家で上司だった有住徹弥真空管部長が名古屋大学工学部電子工学科教授に転出するのに伴い、有住研究室(名古屋大学初となる半導体学部門)[8]の助手になるよう誘いを受けるが、当初断ったものの強い要請により名古屋大学有住研究室で学究生活に入ることになり、助手、講師、助教授を務め、博士論文『 Geの気相成長に関する研究 』[9]で名古屋大学工学博士。1964年ナショナル創業者松下幸之助の熱望で新しく創られたばかりの松下電器東京研究所にスカウトされ招聘されることになる。選りすぐりの研究者が招聘された東京研究所では32才にして一番若い研究室長と迎えられた以後[10]、基礎第4研究室長を務め松下技研株式会社半導体部長に就任する[11]。研究所ではGaAsGaPAlNを中心とするIII-V族半導体、および混晶(GaAsP, GaInP, GaInAsPなど)の各種結晶成長化学気相成長物理気相成長エピタキシャル成長、HVPEハイドライド気相成長法、MBE分子線エピタキシー法、融液成長、液体封止高圧引き上げ成長など)及び電気光学性質に関する研究業績、赤色、黄緑色LEDの開発に関する著しい業績を上げ、1979年には日本初の赤色レーザーダイオードを発振させることに成功させている[12]。1981年かねてから復帰要請の出ていた名古屋大学に戻り、工学部電子工学科教授に就任。大学では異例となる独自の研究室を赴任初年度に開設される[13]。研究室には最初の指導学生となる天野浩・名古屋大学特別教授や国立研究開発法人NIMS物質・材料研究機構の小出康夫理事らが在籍し、優秀な多くの研究者達を育て上げたことでも有名である。1992年に名古屋大学を定年退官。1992年からは名城大学理工学部教授に就任。現在は名城大学終身教授、名古屋大学特別教授を務める。

世界の研究者達から物性制御と困難と諦められていた最高難度を誇る窒化ガリウム (GaN) を最高レベルの結晶化に成功し、PN接合に成功した世界初の青色発光ダイオード(青色LED)を実現させたことでも世界で有名。それらの驚きは1993年から2002年までの10年間だけでも国際会議学術会儀での基調講演・招待講演が140件を超える多大な反響を呼ぶことになる[14]。その窒化ガリウム・青色LED・ レーザー関連に及ぶ膨大な特許料を建設費の一部に用いて、赤﨑記念研究館名古屋大学東山キャンパス内に竣工し、2006年10月20日に開館した[15]

現職[編集]

略歴[編集]

ノーベル賞受賞に際して文部科学省により公表された肖像写真

主な業績[編集]

名古屋大学赤崎記念研究館
  • 高品質・高純度のGaN結晶の成長創製を新たに発明した低温堆積緩衝層技術MOCVD法によって世界で初めて実現させ、結晶学的均衡性・光学的特性・エレクトロニクス特性を同時に達成したワイドギャップ半導体としての機能を発現させる。(1986年)
  • Mgをドープし低エネルギー電子線照射 (LEEBI) で活性化させることによって窒化物半導体におけるp型伝導を発見する。(1989年)
  • 高品質GaN結晶にシリコンをドープさせたn型伝導度制御の実現。(1989年)
  • 世界で初めてp型GaNの結晶化を証明し世界初となるGaNのpn接合型高輝度青色発光ダイオードを発明する。(1989年)
  • GaNからの室温における紫外光誘導放出コヒーレント光を実現させpn接合型青色/紫外発光デバイス (LED, LD) に必須の全ての基礎技術に世界に先駆けて成功する。(1990年)
  • 窒化物半導体における量子サイズ効果を示す多重ヘテロ効果の発見。(1991年)
  • AlGaN/GaNダブルヘテロ構造での低閾値光励起誘導放出の実現。(1993年)
  • 室温における最短波長レーザーダイオード(パルス 376nM)に成功。(1995年)
  • GaN系半導体量子構造による量子閉じ込めシュタルク効果の実証確認。(1997年)
  • GaN系統の結晶におけるピエゾ電界強度結晶方位依存性の無極性面、半極性面の存在を理論的に明らかにする。(これが引き金となり無極性面/半極性面への結晶成長および半導体デバイス研究へと繋がる次世代半導体の大きな開発潮流を生み出すことになる。)(2000年)
  • 高電子移動度AlGaN/Gal超格子の実現。(2001年)
  • 高品質AlGaNテンプレートを用いた最高出力紫外LEDの開発。(2002年)
  • ZrB2基板上の紫外/紫色LEDの開発。(2003年)
  • 世界最高峰となる最短波波長レーザー (350.9nM) の実現に成功する。(2004年)
  • 高温MOVPE法の開発による高品質AlNの実現。(2005年)
  • HFET型高感度ホトセンサーの開発。(2012年)
  • 窒化物半導体系世界最高効率となる太陽電池の開発。(2012年)
  • 世界初の窒化物半導体系電子線励起レーザーに成功する。(2013年)

学術賞[編集]

2014年12月8日、グランドホテルにてカリフォルニア大学サンタバーバラ校固体照明エネルギー電子工学センター所長中村修二(左)、名古屋大学赤﨑記念研究センターセンター長天野浩(中央)と

栄誉・栄典[編集]

2011年11月3日、文化勲章親授式後の記念撮影にて沖縄科学技術研究基盤整備機構ユニット代表研究者柳田充弘(左端)、日本芸術院会員丸谷才一(中央)、日本芸術院会員大樋年朗(右から2人目)、東京大学名誉教授三谷太一郎(右端)と

科学アカデミー会員[編集]

重要な論文[編集]

1981年
  • Y. Ohki, Y. Toyoda, H. Kobayasi and I. Akasaki: “Fabrication and properties of a practical blue-emitting GaN m-i-s diode”, Inst. Phys. Conf. Ser., No. 63, Chap. 10, pp. 479-484
1986年
  • Metalorganic vapor phase epitaxial growth of a high quality GaN film using an AlN buffer layer (Amano, H., Sawaki, N., Akasaki, I. and Toyoda, Y.). Applied Physics Letters 48: 353-355.
1989年
  • Effects of AlN Buffer Layer on Crystallographic Structure and on Electrical and Optical Properties of GaN and Ga1-xAlxN (0<x≤0.4) Films Grown on Sapphire Substrate by MOVPE (Akasaki, I., Amano, H., Koide, Y., Hiramatsu, K. and Sawaki, N.). Journal of Crystal Growth 98: 209-219.
  • P-Type Conduction in Mg-Doped GaN Treated with Low-Energy Electron Beam Irradiation (LEEBI) (Amano, H., Kito, M., Hiramatsu, K. and Akasaki, I.). Japanese Journal of Applied Physics 28: L2112-L2114.
1990年

H. Amano, T. Asahi and I. Akasaki: “Stimulated Emission Near Ultraviolet at Room Temperature from a GaN Film Grown on Sapphire by MOVPE Using an AlN Buffer Layer”, Jpn. J. Appl. Phys., Vol. 29, No. 2, pp. L205-L206, 1990.

1991年
  • H. Murakami, T. Asahi, H. Amano, K. Hiramatsu, N. Sawaki and I. Akasaki: “Growth of Si-doped AlxGa1-xN on (0001) sapphire substrate by metalorganic vapor phase epitaxy”, J. Crystal Growth, Vol. 115, pp. 648-651
1995年
  • I. Akasaki, H. Amano, S. Sota, H. Sakai, T. Tanaka and M. Koike: “Stimulated Emission by Current Injection from an AlGaN/GaN/GaInN Quantum Well Device”, Jpn. J. Appl. Phys., Vol. 34, Pt. 2, No. 11B, pp. L1517-L1519
1997年
  • Crystal Growth and Conductivity Control of Group III Nitride Semiconductors and Their Application to Short Wavelength Light Emitters (Akasaki, I. and Amano, H.). Japanese Journal of Applied Physics 36: 5393-5408.
2006年
  • Breakthroughs in Improving Crystal Quality of GaN and Invention of the p-n Junction Blue-Light-Emitting Diode (Akasaki, I. and Amano, H.). Japanese Journal of Applied Physics 45: 9001-9010.

書籍[編集]

著書・編著・監修[編集]

参考資料[編集]

出典[編集]

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  1. ^ The Nobel Prize in Physics 2014
  2. ^ 鹿児島県立甲南高等学校同窓会 2019年2月22日閲覧
  3. ^ 『赤崎氏ノーベル賞 愚直に「噛んつけ」 不屈の探究心輝く(荒野を行く - 赤崎勇物語 - <下>)』 南日本新聞2014年10月9日付 23面
  4. ^ ノーベル物理学賞受賞者・赤﨑勇博士と京都大学 -大学時代に育まれた研究者の芽-”. 京都大学. 2017年6月28日閲覧。
  5. ^ 『ノーベル物理学賞受賞者・赤﨑勇博士と京都大学 -大学時代に育まれた研究者の芽-』
  6. ^ 技術と文明 19巻1号(52)戦前・戦時期の技術志向弱電企業の技術力構築、村松洋
  7. ^ 神戸工業〜かつてソニーと並び称され、OBにノーベル賞受賞者2人排出のDNAは
  8. ^ 『対談イノベーション成功の鍵とは何か』天野浩 名古屋大学特別教授ノーベル物理学賞者、鈴木寛 東京大学大学院教授 2019年5月31日閲覧
  9. ^ 学位論文書誌データベースによる
  10. ^ 亀山寛、松下技研時代までの赤崎勇 日本物理学会講演概要集 日本物理学会講演概要集/71.2 巻 (2016) セッションID:15aKE-9, doi:10.11316/jpsgaiyo.71.2.0_3203
  11. ^ 坂本慎一、PHP研究所経営理念研究本部主事 ノーベル物理学賞受賞者・赤崎勇と松下幸之助
  12. ^ 赤﨑勇:青色発光ダイオードを求めて (PDF) 応用物理 応用物理 76 (8), 892 (2007)
  13. ^ [1] 『青色発光ダイオード開発物語~赤﨑勇』 その人と仕事~ |サイエンス チャンネル
  14. ^ GaN窒化物半導体研究業績資料「藤原科学財団2002年度、藤原賞受賞者の研究者業績概要」名城大学大学院
  15. ^ 赤﨑記念研究館
  16. ^ 赤﨑記念研究館 | 名古屋大学 学術研究・産学官連携推進本部
  17. ^ 名古屋大学特別教授
  18. ^ 日本結晶成長学会 業績賞/歴代受賞者一覧
  19. ^ http://www.jacg.jp/jacg/japanese/top.html
  20. ^ http://www.photonicssociety.org/award-winners/Engineering%20Achievement%20Award
  21. ^ 国立研究開発法人科学技術振興機構、井上春成賞委員会
  22. ^ http://www.iocg.org/prizes/frank_laudise_prize.html
  23. ^ http://www.candc.or.jp/kensyo/recipient_cc.html
  24. ^ http://www.ieee.org/documents/morton_rl.pdf
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  29. ^ 公益財団法人東レ科学振興会 平成11年度 東レ科学技術賞者
  30. ^ 公益財団法人藤原科学財団、藤原賞 歴代受賞者一覧
  31. ^ https://www.jsap.or.jp/activities/award/outstanding/prizewinner.html
  32. ^ http://www.takeda-foundation.jp/reports/pdf/ant0202.pdf
  33. ^ http://www8.cao.go.jp/cstp/sangakukan/1kai.pdf
  34. ^ http://www.ssdm.jp/SSDM_Award_history.html
  35. ^ http://masu-www.pi.titech.ac.jp/links_files/patent/2004/contest/20041108-announce-year.pdf
  36. ^ http://www.jacg.jp/jacg/japanese/frame_main/16/JACG%20Outstanding%20Achievement%20Award.html
  37. ^ http://www.tms.org/awards/TMSAwardWinnersSpecific.aspx?year=ALL%20YEARS&awardName=%27FMD%20John%20Bardeen%20Award%27
  38. ^ https://www.jsap.or.jp/jsapi/Pdf/Number06/07_Awards.pdf
  39. ^ http://www.nae.edu/MembersSection/Directory20412/31054.aspx
  40. ^ 2009年度京都賞先端技術部門受賞者
  41. ^ 赤﨑勇教授に日本人2人目のエジソン賞名城大学プレスリリース
    赤崎勇氏にエジソン賞=日本2人目、青色LEDで貢献時事通信
  42. ^ https://www.jst.go.jp/report/2011/110915.html
  43. ^ [2]
  44. ^ 日本学術振興会光電相互変換第125委員会、赤﨑勇終身教授特別功績賞表彰
  45. ^ 2015年度 Asia Game Changers Award
  46. ^ ドレイパー賞:LED開発で赤崎と中村両氏ら5人
  47. ^ http://en.unesco.org/news/fifth-unesco-medals-contributions-development-nanoscience-and-nanotechnologies-ceremony
  48. ^ 中日文化賞:第41回-第50回受賞者”. 中日新聞. 2009年10月26日閲覧。
  49. ^ http://www.ieee.org/membership_services/membership/fellows/chronology/fellows_1999.html
  50. ^ みらいぶ 2013年度大川出版賞受賞理由